物理学毕业论文开题报告2

物理学毕业论文开题报告2物理学毕业论文开题报告模板　　Abstract7-8　　

1.1半导体激光器的研究进展12-21　　

1.

1.1高功率半导体激光器12-15　　

1.

1.2高效率半导体激光器15　　

1.

1.3高可靠性半导体激光器15-16　　

1.

1.4高光束质量半导体激光器16-18　　

1.

1.5窄线宽半导体激光器18-21　　

1.2单纵模半导体激光器的`研究进展21-23　　

1.

2.1国外单纵模半导体激光器的研究进展22-23　　

1.

2.2国内单纵模半导体激光器的研究进展23　　

1.3本文的研究目的与内容23-26　　

2.1半导体激光器的根本特性26-29　　

2.

1.1半导体的辐射跃迁26-27　　

2.

1.2半导体激光器的增益与值条件27-29　　

2.2半导体激光器的输出功率与转换效率29-31　　

2.

2.1半导体激光器的输出功率29-30　　

2.

2.2半导体激光器的转化效率30-31　　

2.3半导体激光器的纵模与光谱特性31-32　　

2.4高阶布拉格光栅波导的理论模型32-38　　

2.

4.1分布反响DFB激光器和分布布拉格反射DBR激光器32-33　　

2.

4.2散射理论33-36　　

2.

4.3传输矩阵理论模型36-38　　

2.5高阶布拉格光栅波导的光学特性分析38-42　　

2.

5.1传输矩阵分析38-40　　

2.

5.2高阶布拉格光栅的损耗光谱40-42　　

2.6单纵模激光器的空间相干性分析42-45　　

2.

6.1局部相干光定理42-43　　

2.

6.2相干度理论计算方法43-45　　

2.7本章小结45-46　　

3.1外延生长技术46-47　　

3.2光刻技术47-52　　

3.3刻蚀技术52-61　　

3.

3.1干法刻蚀52-55　　

3.

3.2SiO2和GaAs刻蚀工艺探索55-59　　

3.

3.3湿法腐蚀59-61　　

3.4薄膜生长技术61-65　　

3.

4.1电绝缘膜生长技术62　　

3.

4.2金属电极生长技术62-64　　

3.

4.3光学薄膜生长技术64-65　　

3.5高阶光栅半导体激光器的制备65-66　　

3.6本章小结66-68　　

4.1高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器68-81　　

4.

1.1器件结构设计68-76　　

4.

1.2器件制备76-77　　

4.

1.3器件测量结果77-81　　

4.2双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器81-86　　

4.

2.1器件设计81-83　　

4.

2.2器件制备83-84　　

4.

2.3器件测量结果84-86　　

4.3高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析86-92　　

4.

3.1拉曼光谱分析技术原理87-88　　

4.

3.2测试结果与分析88-92　　

4.4本章小结92-94　　

5.1器件制备94-96　　

5.2器件测量结果96-99　　

5.3本章小结99-100　　

6.1VCSEL单管器件空间相干性研究100-107　　

6.

1.1局部相干光理论101-103　　

6.

1.2测试结果103-107　　

6.2VCSEL列阵器件的空间相干特性研究107-114　　

6.

2.1器件设计107-110　　

6.

2.2器件制备110　　

6.

2.3测试结果110-114　　

6.3本章小结114-116　　

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